前沿导读 根据美国科技媒体《Tom’s HARDWARE》的报道，中国闪存生产商长江存储正在围绕自主研发设备的生产线进行布局，值得注意的是，该公司在闪存芯片制造过程中不依赖于先进的极紫外（EUV）光刻机，这为其进入市场提供了机遇。长江存储定下目标，希望在2027年底前成为全球最大的闪存制造商，其出货量超越行业领头羊三星及SK海力士。然而，韩国半导体界的专家崔正东对此表示了审慎的看法，他认为长江存储短期内难以攀升至这个高度，尽管市场份额有所增加，但其盈利水平和企业级固态硬盘（eSSD）市场的占有率偏低，这两者是决定市场地位的关键因素。

市场现状 国际分析机构Counterpoint的数据显示，从2025年至2026年第一季度，长江存储在全球闪存芯片市场的份额稳步上升，由最初的8%增长至13%。这一显著成就的背后，离不开国内市场对闪存产品的强大需求以及存储芯片价格的显著上扬，进而推动了长江存储的出货量和收入，营收同比飙升近445%。反观其他竞争对手的市场份额，表现波动不一，有些保持不变，有些则出现下滑。目前，三星和SK海力士仍然占据市场份额的最大份额，分别为29%和18%；而长江存储、铠侠、美光、闪迪等企业则在市场争夺中相互紧追，均在13%左右展开角逐。

随着2026年第二季度的到来，市场排名出现了新的变化。尽管三星依旧稳居第一，但市场占比从29%降至25%；SK海力士及其子公司的合计市场份额则有所上升，达到22%。而长江存储通过14%的出货量成功跻身全球第三，铠侠、美光和闪迪紧随其后。Counterpoint的分析指出，尽管长江存储的出货量和市场份额表现良好，但在营收规模上仅位列第五，远远落后于美光和铠侠。这主要是因为长江存储的产品组合以消费级闪存为主，高利润的企业级SSD市场则被三星、SK海力士、美光等巨头牢牢占据，而随着AI应用的迅速发展，eSSD在行业中已成为稀缺资源，长江存储在这一领域的出货量并未形成优势，致使营收水平未能与这些海外巨头相抗衡。不过，长江存储正在努力扩展企业级SSD的产品线，以增强整体竞争力。 谈球吧

面对的挑战 长江存储所面临的问题与同行长鑫存储一致，二者均在消费级存储芯片领域表现强劲，但在AI产业急需的eSSD和高带宽内存（HBM）市场上则相对薄弱。高利润的AI存储芯片市场被国外主要企业所垄断，尽管中国存储芯片产业规模日益壮大，实际的产品收入和质量仍无法与国际巨头相提并论。

国产设备的崛起 自2022年美国将长江存储纳入出口管制清单，切断了其获得先进制造设备的渠道后，其境遇愈发严峻。2026年4月，美国推动的相关法案再次将长江存储列为重点监控对象，禁止ASML向其出售DUV光刻机，并对中国企业已购设备进行售后限制，目标明显是压制中国企业的产能扩张。

闪存芯片的制造与逻辑芯片有着根本性的区别，后者在设计和制造上要求更具挑战性，需借助更高分辨率的EUV光刻机，而闪存则主要依赖于存储单元和电路的叠层设计，通过提升设计复杂度来增强存储容量，主要使用DUV光刻机即可满足其需求。长江存储的核心技术Xtacking晶栈架构能够将"存储单元"和"外围控制电路"分别放置在两块晶圆上独立制造，并通过混合键合技术实现垂直互连。这项技术带来了几大好处：首先，外围电路不再占用芯片面积，减少了约25%的芯片体积，从而提升了存储密度；其次，两个生产流程同步进行，缩短了约3个月的开发周期和20%的生产周期；最后，长江存储正在基于晶栈架构构建国产化的制造体系。 谈球吧

自2018年末推出晶栈架构1.0以来，长江存储的闪存芯片密度实现了持续提升。到2022年，长江存储依据3.0架构达到232层闪存堆叠，这使其在与海外企业的竞争中处于领先地位，尽管此时面临美国的制裁。预计到2024年底，长江存储将推出4.0晶栈架构，进一步引入超连接技术，与美光最新的276层技术相媲美。在推进自身技术研发的过程中，长江存储自2022年起重视与国内设备厂商的合作，努力构建自主产业链。与北方华创、中微半导体、上海微电子、拓荆科技、华海精科等知名企业的合作，标志着长江存储逐步实现自主化制造的目标。

2025年，长江存储与三星达成了协议，后者将采用长江存储开发的混合键合技术生产下一代10nm闪存芯片。这是国际巨头首次与中国存储企业达成合作，付费使用中国开发的芯片制造技术，充分表明中国存储芯片技术已在全球产业链中产生了显著的影响。虽然美国对长江存储实施制裁限制了其获取外部先进设备的机会，但长江存储在限制后积极与国内设备生产商合作，推进自主制造体系的建设，使其得以从晶栈架构3.0顺利升级至4.0，并在新技术的浪潮中继续保持前行的动力。